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簡要描述:VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設(shè)備,含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本機(jī)設(shè)置1個蒸鍍加熱舟,特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜(如Ti、Al 、Au等),加熱舟上方有一個可旋轉(zhuǎn)擋板;2只束源爐工位(標(biāo)配1只束源爐);1組流量計(氬氣一組)帶φ150
產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,冶金,綜合 |
VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設(shè)備,含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本機(jī)設(shè)置1個蒸鍍加熱舟,特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜(如Ti、Al 、Au等),加熱舟上方有一個可旋轉(zhuǎn)擋板;2只束源爐工位(標(biāo)配1只束源爐);1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗。
產(chǎn)品名稱 | VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀 | |
產(chǎn)品型號 | VTC-1HD-ZF2 | |
主要參數(shù) | 1、真空室:φ324X330 極限真空6.0X10-4Pa(采用國產(chǎn)FF-150升渦輪分子泵+機(jī)械泵) 漏率:2.0x10-10Pa.m3/s 材料為304不銹鋼焊接,電化學(xué)表面拋光處理。 活動處密封采用橡膠密封圈,不活動處密封采用銅密封圈密封。 動力傳動采用磁耦合聯(lián)動方式。 真空室一個磁控靶位、一組蒸發(fā)電極(兩只)、2只束源爐工位(標(biāo)配1只束源爐)。 1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗,另預(yù)留C35法蘭接口。 | |
2、濺射靶頭:2吋(φ50.8mm) 工作真空度:10Pa~0.2Pa 靶材利用率:>35%(標(biāo)準(zhǔn)3mm銅靶材,靶面真空度0.5Pa) MAX功率:<240W(充分冷卻) 絕緣電壓:>2000V(配套500W直流電源1個) | ||
3、電阻蒸發(fā): 蒸發(fā)輸出電壓:AC 0-8V連續(xù)可調(diào) 極限蒸發(fā)電流200A 極限蒸發(fā)功率<1.6KW 溫度不可控,不可測。 | ||
4、束源爐:坩堝容量:3CC 加熱溫度:室溫-700°C 加熱溫度可測、可調(diào)、可控。 控溫精度:±0.5°C 標(biāo)配石英坩堝,帶擋板、熱電偶。 電源功率:500W、36V | ||
5、樣品臺:φ120 溫控:室溫-500°C 轉(zhuǎn)數(shù):1-20rpm 樣品臺可手動升降,可調(diào)行程上限:50mm | ||
6、EQ-TM106-1膜厚儀 1)電源:DC 5V(±10%),MAX電流400mA 2)頻率分辨率:±0.03Hz 3)膜厚分辨率:0.0136?(鋁) 4)膜厚準(zhǔn)確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置,材料應(yīng)力,溫度和密度。 5)測量速度:100ms-1s/次,可設(shè)置 6)測量范圍:500000?(鋁) 7)標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體:6MHz 8)計算機(jī)接口:RS-232/485串行接口(波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設(shè)置,數(shù)據(jù)位:8,停止位:1,校驗:無) 9)模擬輸出:8比特分辨率,PWM脈寬調(diào)制輸出(集電極開路或內(nèi)部5V輸出) 10)工作環(huán)境:溫度0-50℃,濕度5%-85%RH,不得有冷凝水珠 11)外形尺寸:90mm×50mm×18mm | ||
7、設(shè)備標(biāo)配冷水機(jī)組1臺(KJ5000型),客戶自備冷水機(jī)及去離子水或純凈水。 | ||
8、整機(jī)電源輸入:AC220V/50Hz。功率<3.5KW。 | ||
9、產(chǎn)品規(guī)格: 尺寸:約1300mm×660mm×1200mm; 重量:約160 kg |
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