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HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭

簡要描述:1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD可安裝直徑為1“的靶材??膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材(如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等)。且采用高真空的結構設計,可提高鍍膜質(zhì)量。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2018-11-01
  • 訪  問  量:1592

詳細介紹

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1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD主要適用于我公司制造的VTC-600-3HD三靶磁控濺射儀、VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀,該磁控濺射頭可安裝直徑為1"的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材,如金屬靶材(如金、銀、銅等材料)、絕緣靶材(如陶瓷靶材、氧化物靶材、聚四氟乙烯靶材等)、磁性靶材、非磁性靶材等。且采用高真空的結構設計,可提高鍍膜質(zhì)量。該濺射頭配裝有環(huán)形NdFeB永磁體在濺射頭上,以保證濺射鍍膜的效率和薄膜在樣品表面分布的均勻性。

產(chǎn)品型號

  1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD

主要特點

  1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。

  2、采用電磁場的有元計算法來設計永磁體,以得到較高的磁場強度和均勻分布。

  3、磁體表面涂有保護層,以防止冷卻水的腐蝕,延長其使用壽命。

  4、標準的HN型接頭,可與DCRF電源相匹配。

  5、安裝采用標準真空接頭,便于操作。

  6、靶材更換較為簡單,無需調(diào)整濺射頭的高度。

  7、配有銅靶1塊。

技術參數(shù)

  1、濺射頭直徑:Φ46.3mm

  2、所用靶材:直徑1"±0.02"(25.4mm),zui大厚度1/8"(3mm        

  3、磁環(huán):NdFeB稀土永磁體

  4、柄桿直徑:外徑3/4"

  5、電路接頭:標準HN型接頭,可與DCRF電源相匹配

  6、所需功率:DCzui大250W,RFzui大100W

  7、陰極濺射電流:zui大3A

  8、陰極濺射電壓:200V-1000V

  9、工作壓力范圍:1mtorr-1torr

  10、濺射厚度均勻性:采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個20nm的薄膜,直流功率150W,真空環(huán)境

                                         10mtorr,1"銅靶,與基片距離75mm

                                       

  11、水冷卻:水管接頭為外徑0.25"快插頭,所需水流量1/2GPM,進水溫度<20

                       

  12、高真空快速接頭:為贈送品,數(shù)量1個,內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝

               孔直徑為1",真空腔體的壁厚不得大于1"

                                       

  13、傾斜裝置:濺射頭相對于柄桿zui大可傾斜±45?,設有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度

                         

產(chǎn)品規(guī)格

  尺寸:14"355.6mm);重量:1.36kg

可選配件

  1、循環(huán)水冷機,流量為16L/min,水箱容積為6L。

  2100W小型手動匹配型射頻電源RF-100-LD,可自行搭建濺射鍍膜儀。

主要應用

  在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,應用如下:

  薄膜涂覆、半導體器件、磁記錄介質(zhì)、超導薄膜、量子計算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術、超晶格、顆粒

  膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學薄膜

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